на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6326.75 грн |
| 10+ | 5693.61 грн |
| 28+ | 4723.15 грн |
| 56+ | 4618.11 грн |
| 112+ | 4503.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH030P120M3F1PTG onsemi
Description: 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDG, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 100W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V, FET Feature: Silicon Carbide (SiC), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA.
Інші пропозиції NXH030P120M3F1PTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH030P120M3F1PTG | Виробник : onsemi |
 Description: 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGPackaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: Silicon Carbide (SiC) Power - Max: 100W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V FET Feature: Silicon Carbide (SiC) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA |
товару немає в наявності |