NXH030F120M3F1PTG onsemi
на замовлення 28 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 5640.22 грн |
| 10+ | 5038.09 грн |
| 28+ | 3894.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH030F120M3F1PTG onsemi
Description: 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL B, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), Power - Max: 100W (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V, FET Feature: Depletion Mode, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA, Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5).
Інші пропозиції NXH030F120M3F1PTG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NXH030F120M3F1PTG | Виробник : ON Semiconductor |
 SiC MOSFET |
товар відсутній |
||
 |
NXH030F120M3F1PTG | Виробник : onsemi |
Description: 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL B Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) Power - Max: 100W (Tj) Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV) Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V FET Feature: Depletion Mode Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5) |
товар відсутній |