NXH007F120M3F2PTHG onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 353W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10926.47 грн |
| 20+ | 10253.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH007F120M3F2PTHG onsemi
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 149A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 353W, Bauform - Transistor: PIM, Anzahl der Pins: 34Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 18V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXH007F120M3F2PTHG за ціною від 10414.31 грн до 13404.00 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NXH007F120M3F2PTHG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 149A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 353W Bauform - Transistor: PIM Anzahl der Pins: 34Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 18V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| NXH007F120M3F2PTHG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
| NXH007F120M3F2PTHG | Виробник : ON Semiconductor |
SiliconCarbide Module MOSFET |
товару немає в наявності |