![NXH003P120M3F2PTNG NXH003P120M3F2PTNG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5733/MFG_PIM36-180BY-F2SiC-Logo.jpg)
NXH003P120M3F2PTNG onsemi
![nxh003p120m3f2ptng-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 18225.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH003P120M3F2PTNG onsemi
Description: SILICON CARBIDE (SIC) MODULE EL, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 1.48kW (Tj), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA, Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8).
Інші пропозиції NXH003P120M3F2PTNG за ціною від 15383.88 грн до 19798.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NXH003P120M3F2PTNG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
NXH003P120M3F2PTNG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |