![NXH003P120M3F2PTHG NXH003P120M3F2PTHG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5849/MFG_NXH00xP120M3F2PTHG.jpg)
NXH003P120M3F2PTHG onsemi
![nxh003p120m3f2pthg-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 15693.4 грн |
20+ | 14154.63 грн |
40+ | 13622.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH003P120M3F2PTHG onsemi
Description: ELITESIC, 3 MOHM SIC M3S MOSFET,, Packaging: Tray, Package / Case: Module, Mounting Type: Chassis Mount, Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge), Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Technology: Silicon Carbide (SiC), Power - Max: 979W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV), Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA, Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8).
Інші пропозиції NXH003P120M3F2PTHG за ціною від 13293.84 грн до 17107.66 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NXH003P120M3F2PTHG | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
NXH003P120M3F2PTHG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |