на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002BKSX Nexperia
Description: NEXPERIA - NX7002BKSX - Dual-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 60 V, 240 mA, 240 mA, 2.2 ohm, tariffCode: 85412100, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 240mA, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 240mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 240mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 285mW, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 285mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NX7002BKSX за ціною від 1.8 грн до 33.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NX7002BKSX | Виробник : Nexperia |
 Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 234000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKSX | Виробник : Nexperia |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 6-Pin TSSOP T/R |
на замовлення 105000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKSX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.8A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15A On-state resistance: 5.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Gate charge: 1nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 0.8A Mounting: SMD Case: SC88; SOT363; TSSOP6 |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKSX - Dual-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 60 V, 240 mA, 240 mA, 2.2 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 240mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 240mA Verlustleistung, p-Kanal: 285mW euEccn: NLR Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKSX | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.15A; Idm: 0.8A Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.15A On-state resistance: 5.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate; logic level Gate charge: 1nC Kind of channel: enhanced Pulsed drain current: 0.8A Mounting: SMD Case: SC88; SOT363; TSSOP6 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKSX | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX7002BKS/SOT363/SC-88 |
на замовлення 6938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX7002BKSX | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002BKSX - Dual-MOSFET, Graben, n-Kanal, 60 V, 60 V, 240 mA, 240 mA, 2.2 ohm tariffCode: 85412100 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 240mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 240mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 60V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 240mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 285mW euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 285mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 10475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX7002BKSX | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.24A 6-Pin TSSOP T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NX7002BKSX | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 270MA 6TSSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 270mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 310mW (Ta), 1.67W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: 6-TSSOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
товар відсутній |