![NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/2/15/5/49/24/936/nexpe_/manual/sot883b_3d.jpg)
на замовлення 260000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.91 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002BKMBYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.2 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NX7002BKMBYL за ціною від 2.22 грн до 24.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 14035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 19330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DFN1006B-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V |
на замовлення 36888 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 14035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 34957 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 350mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-883B Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NX7002BKMBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 5.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.68W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.9A Mounting: SMD Case: DFN1006B-3; SOT883B |
на замовлення 9410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
NX7002BKMBYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.2A On-state resistance: 5.7Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.68W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: ESD protected gate Gate charge: 1nC Technology: Trench Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.9A Mounting: SMD Case: DFN1006B-3; SOT883B кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9410 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NX7002BKMBYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |