Продукція > NEXPERIA > NX7002BKMBYL
NX7002BKMBYL

NX7002BKMBYL NEXPERIA


4375111991552040nx7002bkmb.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 260000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX7002BKMBYL NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.2 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 350mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-883B, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NX7002BKMBYL за ціною від 2.22 грн до 24.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia USA Inc. NX7002BKMB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.83 грн
30000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.89 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.2 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+5.19 грн
1000+ 3.4 грн
5000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 500
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 14035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1226+9.84 грн
1795+ 6.72 грн
3572+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 1226
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.2 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 19330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+15.44 грн
117+ 6.71 грн
250+ 5.19 грн
1000+ 3.4 грн
5000+ 3.08 грн
Мінімальне замовлення: 51
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia USA Inc. NX7002BKMB.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 23.6 pF @ 10 V
на замовлення 36888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.81 грн
20+ 14.48 грн
100+ 7.05 грн
500+ 5.51 грн
1000+ 3.83 грн
2000+ 3.32 грн
5000+ 3.03 грн
Мінімальне замовлення: 14
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
на замовлення 14035 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+23.01 грн
32+ 18.84 грн
33+ 18.62 грн
50+ 12.43 грн
100+ 8.65 грн
250+ 7.83 грн
500+ 5.35 грн
1000+ 2.69 грн
Мінімальне замовлення: 26
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia NX7002BKMB-1319043.pdf MOSFET NX7002BKMB/SOT883B/XQFN3
на замовлення 34957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+24.17 грн
26+ 12.63 грн
100+ 5.42 грн
1000+ 3.48 грн
2500+ 3.2 грн
10000+ 2.29 грн
20000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Description: NEXPERIA - NX7002BKMBYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 350 mA, 2.2 ohm, SOT-883B, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-883B
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 1nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.9A
Mounting: SMD
Case: DFN1006B-3; SOT883B
на замовлення 9410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+4.06 грн
110+ 3.37 грн
330+ 2.59 грн
905+ 2.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
NX7002BKMBYL Виробник : NEXPERIA NX7002BKMB.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench; unipolar; 60V; 0.2A; Idm: 0.9A; 0.68W
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.2A
On-state resistance: 5.7Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 0.68W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Gate charge: 1nC
Technology: Trench
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 0.9A
Mounting: SMD
Case: DFN1006B-3; SOT883B
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9410 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+4.87 грн
100+ 4.21 грн
330+ 3.11 грн
905+ 2.94 грн
Мінімальне замовлення: 60
NX7002BKMBYL NX7002BKMBYL Виробник : Nexperia 4375111991552040nx7002bkmb.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.35A 3-Pin DFN-B T/R
товар відсутній