на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002AK,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції NX7002AK,215 за ціною від 0.8 грн до 41.61 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 126000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V |
на замовлення 498000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A On-state resistance: 6.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 325mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB |
на замовлення 8465 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.12A On-state resistance: 6.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 325mW Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Features of semiconductor devices: logic level Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8465 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia | MOSFET NX7002AK/SOT23/TO-236AB |
на замовлення 360949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V |
на замовлення 501900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 27664 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : NXP |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 245 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En | N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 190 мА; Ptot, Вт = 0,265; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10; Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В; Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia | N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NX7002AK.215 | Виробник : NXP USA Inc. | Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI |
товар відсутній |