NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V
на замовлення 303000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.25 грн |
| 6000+ | 2.01 грн |
| 9000+ | 1.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3020NAKW,115 Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 180mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NX3020NAKW,115 за ціною від 1.53 грн до 16.26 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX3020NAKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 6040 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKW,115 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 30V 180MA SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 260mW (Ta), 1.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13 pF @ 10 V |
на замовлення 309094 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NX3020NAKW,115 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NX3020NAKW/SOT323/SC-70 |
на замовлення 76160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NX3020NAKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 0.11A; 300mW; SC70,SOT323 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 0.11A Power dissipation: 0.3W Case: SC70; SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9.2Ω Mounting: SMD Gate charge: 0.44nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6040 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NX3020NAKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX3020NAKW,115 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 180 mA, 2.7 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 180mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| NX3020NAKW,115 | Виробник : NXP |
N-MOSFET 30V 180mA 260mW 4.5Ω NX3020NAKW TNX3020nakw кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
 |
NX3020NAKW,115 | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 30V 0.18A 3-Pin SC-70 T/R |
товар відсутній |