![NX3008PBK,215 NX3008PBK,215](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT23NXP-40.jpg)
NX3008PBK,215 NEXPERIA
![1508394.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NEXPERIA - NX3008PBK,215 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 230mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX3008PBK,215 NEXPERIA
Description: MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V, Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-236AB, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NX3008PBK,215 за ціною від 1.74 грн до 18.09 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -30V Drain current: -230mA On-state resistance: 4.1Ω Type of transistor: P-MOSFET |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -0.23A; 420mW; SOT23,TO236AB Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.42W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.72nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±8V Mounting: SMD Case: SOT23; TO236AB Drain-source voltage: -30V Drain current: -230mA On-state resistance: 4.1Ω Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 7375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 435054 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 837 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 350mW (Ta), 1.14W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.72 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 46 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 135272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : Nexperia |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NX3008PBK,215 | Виробник : NEXPERIA |
![]() |
товар відсутній |