NX138BKMYL

NX138BKMYL NEXPERIA


3163640.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9752 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.71 грн
1000+ 2.9 грн
5000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX138BKMYL NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NX138BKMYL за ціною від 2.16 грн до 21.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : NEXPERIA 3163640.pdf Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+15.79 грн
125+ 6.28 грн
250+ 4.71 грн
1000+ 2.9 грн
5000+ 2.63 грн
Мінімальне замовлення: 50
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : Nexperia USA Inc. NX138BKM.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
на замовлення 6280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+18.85 грн
20+ 14.95 грн
25+ 12.54 грн
100+ 7.45 грн
250+ 5.75 грн
500+ 4.9 грн
1000+ 3.28 грн
2500+ 2.96 грн
5000+ 2.57 грн
Мінімальне замовлення: 16
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : Nexperia NX138BKM-1919503.pdf MOSFETs NX138BKM/SOT883/XQFN3
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+21.14 грн
24+ 13.78 грн
100+ 5.16 грн
1000+ 3.55 грн
2500+ 2.79 грн
10000+ 2.3 грн
20000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 16
NX138BKMYL NX138BKMYL Виробник : Nexperia USA Inc. NX138BKM.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 380MA DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V
Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-883
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V
товар відсутній