![NX138BKMYL NX138BKMYL](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/3585597-40.jpg)
NX138BKMYL NEXPERIA
![3163640.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 380mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 380mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9752 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.71 грн |
1000+ | 2.9 грн |
5000+ | 2.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX138BKMYL NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX138BKMYL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 380 mA, 1.8 ohm, DFN1006, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380mW, Bauform - Transistor: DFN1006, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NX138BKMYL за ціною від 2.16 грн до 21.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NX138BKMYL | Виробник : NEXPERIA |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 380mW Bauform - Transistor: DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NX138BKMYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V |
на замовлення 6280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NX138BKMYL | Виробник : Nexperia |
![]() |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
NX138BKMYL | Виробник : Nexperia USA Inc. |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3Ohm @ 380mA, 10V Power Dissipation (Max): 380mW (Ta), 2.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 pF @ 30 V |
товар відсутній |