NX138AKHH Nexperia USA Inc.
Виробник: Nexperia USA Inc.Description: NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V
Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DFN0606-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10000+ | 2.42 грн |
| 30000+ | 2.29 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX138AKHH Nexperia USA Inc.
Description: NEXPERIA - NX138AKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 2.8 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 260mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 365mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 365mW, Bauform - Transistor: DFN0606, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NX138AKHH за ціною від 2.09 грн до 22.52 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX138AKHH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138AKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 2.8 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 365mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 365mW Bauform - Transistor: DFN0606 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX138AKHH | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 260mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta), 2.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: DFN0606-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15 pF @ 30 V |
на замовлення 30554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX138AKHH | Виробник : Nexperia |
MOSFET NX138AKH/SOT8001/DFN0606-3 |
на замовлення 16302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NX138AKHH | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX138AKHH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 260 mA, 2.8 ohm, DFN0606, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 260mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 365mW Bauform - Transistor: DFN0606 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NX138AKHH | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.26A 3-Pin DFN T/R |
товар відсутній |