![NVTR4503NT1G NVTR4503NT1G](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2018/3/19/3/53/25/314/ons_/manual/sot-23.jpg)
NVTR4503NT1G ON Semiconductor
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTR4503NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 30V 1.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 420mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVTR4503NT1G за ціною від 4.38 грн до 32.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.73W Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 7nC On-state resistance: 0.14Ω Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: 1.5A Drain-source voltage: 30V Case: SOT23 Mounting: SMD |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 420mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 135 pF @ 15 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 1.5A; 0.73W; SOT23 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 0.73W Type of transistor: N-MOSFET Gate charge: 7nC On-state resistance: 0.14Ω Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Drain current: 1.5A Drain-source voltage: 30V Case: SOT23 Mounting: SMD кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 935 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 188610 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6796 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NVTR4503NT1G транзистор Код товару: 199485 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
![]() |
NVTR4503NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |