Продукція > ONSEMI > NVTFS9D6P04M8LTAG
NVTFS9D6P04M8LTAG

NVTFS9D6P04M8LTAG ONSEMI

2913031.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS9D6P04M8LTAG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 64A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 75W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NVTFS9D6P04M8LTAG за ціною від 36.31 грн до 118.05 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Виробник : onsemi NVTFS9D6P04M8L_D-2319682.pdf MOSFET MV8 P INITIAL PROGRAM
на замовлення 3076 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.76 грн
10+ 88.96 грн
100+ 58.75 грн
500+ 49.76 грн
1000+ 40.49 грн
1500+ 38.12 грн
3000+ 36.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Виробник : ONSEMI 2913031.pdf Description: ONSEMI - NVTFS9D6P04M8LTAG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 64 A, 0.0075 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 64A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 75W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+118.05 грн
10+ 89.91 грн
100+ 66.14 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній
NVTFS9D6P04M8LTAG NVTFS9D6P04M8LTAG Виробник : onsemi nvtfs9d6p04m8l-d.pdf Description: MOSFET P-CH 40V 13A/64A 8WDFN
товар відсутній