NVTFS6H888NTAG

NVTFS6H888NTAG ON Semiconductor


nvtfs6h888n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+17.93 грн
3000+ 16.07 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVTFS6H888NTAG ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 18W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NVTFS6H888NTAG за ціною від 15.32 грн до 28.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h888n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+19.31 грн
3000+ 17.3 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG Виробник : ONSEMI 2711447.pdf Description: ONSEMI - NVTFS6H888NTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 12 A, 0.0457 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 18W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0457ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+28.93 грн
32+ 24.94 грн
100+ 15.32 грн
Мінімальне замовлення: 28
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS6H888N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 9370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS6H888N-D.PDF Description: MOSFET N-CH 80V 4.7A/12A 8WDFN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVTFS6H888NTAG Виробник : ON Semiconductor NVTFS6H888N-D.PDF
на замовлення 1445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG Виробник : ON Semiconductor nvtfs6h888n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NVTFS6H888NTAG NVTFS6H888NTAG Виробник : onsemi NVTFS6H888N_D-2319738.pdf MOSFET T8 80V U8FL
товар відсутній