NVTFS5C658NLWFTAG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 109A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 114W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 140.88 грн |
| 10+ | 107.06 грн |
| 100+ | 81.3 грн |
| 500+ | 52.32 грн |
| 1000+ | 45.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS5C658NLWFTAG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C658NLWFTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 109 A, 0.0042 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 109A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 114W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції NVTFS5C658NLWFTAG
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVTFS5C658NLWFTAG | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET AFSM T6 60V LL U8FL WF |
на замовлення 1258 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |