NVTFS5C466NLTAG ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0061 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0061 ohm, WDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 38W
Bauform - Transistor: WDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 114.92 грн |
10+ | 82.87 грн |
100+ | 62.54 грн |
500+ | 46.32 грн |
1500+ | 38.06 грн |
3000+ | 34.11 грн |
4500+ | 33.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVTFS5C466NLTAG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVTFS5C466NLTAG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 51 A, 0.0061 ohm, WDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 51A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 38W, Bauform - Transistor: WDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0061ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NVTFS5C466NLTAG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NVTFS5C466NLTAG | Виробник : ON Semiconductor | MOSFET AFSM T6 40V LL U8FL |
на замовлення 4379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
||
NVTFS5C466NLTAG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||
NVTFS5C466NLTAG | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 14A Automotive AEC-Q101 8-Pin WDFN EP T/R |
товар відсутній |
||
NVTFS5C466NLTAG | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN |
товар відсутній |
||
NVTFS5C466NLTAG | Виробник : onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A 8WDFN |
товар відсутній |