Продукція > ONSEMI > NVMYS3D5N04CTWG
NVMYS3D5N04CTWG

NVMYS3D5N04CTWG onsemi


nvmys3d5n04c-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+38.45 грн
6000+ 35.27 грн
9000+ 33.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS3D5N04CTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS3D5N04CTWG за ціною від 36.92 грн до 92.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMYS3D5N04CTWG NVMYS3D5N04CTWG Виробник : onsemi nvmys3d5n04c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 40V 24A/102A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 102A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+92.76 грн
10+ 73.21 грн
100+ 56.97 грн
500+ 45.32 грн
1000+ 36.92 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMYS3D5N04CTWG NVMYS3D5N04CTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys3d5n04c-d.pdf Power MOSFET
товар відсутній
NVMYS3D5N04CTWG NVMYS3D5N04CTWG Виробник : onsemi NVMYS3D5N04C_D-2319897.pdf MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
товар відсутній