Продукція > ONSEMI > NVMYS2D2N06CLTWG
NVMYS2D2N06CLTWG

NVMYS2D2N06CLTWG onsemi

nvmys2d2n06cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2986 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+153.37 грн
10+ 122.56 грн
100+ 97.56 грн
500+ 77.47 грн
1000+ 65.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMYS2D2N06CLTWG onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA, Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMYS2D2N06CLTWG за ціною від 68.21 грн до 173.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMYS2D2N06CLTWG NVMYS2D2N06CLTWG Виробник : onsemi NVMYS2D2N06CL_D-2319784.pdf MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 119-128 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+173.64 грн
10+ 154.94 грн
100+ 107.92 грн
500+ 88.88 грн
1000+ 73.36 грн
3000+ 68.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMYS2D2N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor nvmys2d2n06cl-d.pdf Power MOSFET
товар відсутній
NVMYS2D2N06CLTWG NVMYS2D2N06CLTWG Виробник : onsemi nvmys2d2n06cl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 31A/185A LFPAK4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta), 185A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній