NVMYS1D3N04CTWG onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRENCH 6 40V SL NFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA
Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 66.48 грн |
| 6000+ | 61.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMYS1D3N04CTWG onsemi
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 252A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 134W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 134W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NVMYS1D3N04CTWG за ціною від 63.24 грн до 164.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 252A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: LFPAK Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVMYS1D3N04CTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 252 A, 0.00115 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 252A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 134W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 134W Bauform - Transistor: LFPAK Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 960µohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00115ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : onsemi |
Description: TRENCH 6 40V SL NFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-1023, 4-LFPAK Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 252A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.15mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 134W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 180µA Supplier Device Package: LFPAK4 (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4855 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 12475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
NVMYS1D3N04CTWG | Виробник : onsemi |
MOSFET TRENCH 6 40V SL NFET |
на замовлення 25750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|