Продукція > ONSEMI > NVMTS1D6N10MCTXG
NVMTS1D6N10MCTXG

NVMTS1D6N10MCTXG onsemi

nvmts1d6n10mc-d.pdf Виробник: onsemi
Description: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 63000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+223.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS1D6N10MCTXG onsemi

Description: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS1D6N10MCTXG за ціною від 214.95 грн до 460.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMTS1D6N10MCTXG NVMTS1D6N10MCTXG Виробник : onsemi nvmts1d6n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V SINGLE NCH PQFN8X8 STD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 273A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 291W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7630 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 65574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+460.25 грн
10+ 371.94 грн
100+ 300.93 грн
500+ 251.04 грн
1000+ 214.95 грн
NVMTS1D6N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts1d6n10mc-d.pdf N-Channel MOSFET
товар відсутній
NVMTS1D6N10MCTXG Виробник : onsemi NVMTS1D6N10MC_D-2492288.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 100V, 273A, 1.7mohm
товар відсутній