Продукція > ONSEMI > NVMTS1D0N04CLTXG
NVMTS1D0N04CLTXG

NVMTS1D0N04CLTXG onsemi

nvmts1d0n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+182.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS1D0N04CLTXG onsemi

Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA, Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS1D0N04CLTXG за ціною від 175.49 грн до 375.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMTS1D0N04CLTXG NVMTS1D0N04CLTXG Виробник : onsemi nvmts1d0n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL AIZU SINGLE NCH PQFN 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51.3A (Ta), 291A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.7W (Ta), 153W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 210µA
Supplier Device Package: 8-DFNW (8.3x8.4)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7408 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.43 грн
10+ 303.67 грн
100+ 245.7 грн
500+ 204.96 грн
1000+ 175.49 грн
NVMTS1D0N04CLTXG Виробник : onsemi NVMTS1D0N04CL_D-2492281.pdf MOSFETs Power MOSFET, Single, N-Channel Logic Level, 40 V, 1.0 mO, 291 A Power MOSFET, Single, N-Channel Logic Level, 40 V, 1.0 mO, 291 A
товар відсутній