Продукція > ONSEMI > NVMTS0D6N04CLTXG
NVMTS0D6N04CLTXG

NVMTS0D6N04CLTXG onsemi

nvmts0d6n04cl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Cut Tape (CT)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+573.05 грн
10+ 473.2 грн
100+ 394.3 грн
500+ 326.5 грн
1000+ 293.85 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMTS0D6N04CLTXG onsemi

Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI, Packaging: Tape & Reel (TR), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMTS0D6N04CLTXG за ціною від 298.38 грн до 613.93 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : onsemi NVMTS0D6N04CL_D-2319894.pdf MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 469A, 0.42mohm
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+613.93 грн
10+ 518.36 грн
25+ 408.42 грн
100+ 375.97 грн
250+ 353.4 грн
500+ 331.53 грн
1000+ 298.38 грн
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : ON Semiconductor nvmts0d6n04cl-d.pdf Power MOSFET
товар відсутній
NVMTS0D6N04CLTXG NVMTS0D6N04CLTXG Виробник : onsemi nvmts0d6n04cl-d.pdf Description: T6 40V LL PQFN8*8 EXPANSI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78.9A (Ta), 554.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.42mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16013 pF @ 20 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній