![NVMS5P02R2G NVMS5P02R2G](https://www.mouser.com/images/mouserelectronics/lrg/ITP_SOIC_8_new_t.jpg)
на замовлення 5232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 62.77 грн |
10+ | 54.26 грн |
100+ | 41.05 грн |
500+ | 38.05 грн |
1000+ | 31.43 грн |
2500+ | 29.2 грн |
5000+ | 27.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMS5P02R2G onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOIC, Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V.
Інші пропозиції NVMS5P02R2G за ціною від 35.9 грн до 87.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NVMS5P02R2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V |
на замовлення 4615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NVMS5P02R2G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
NVMS5P02R2G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V |
товар відсутній |