Продукція > ONSEMI > NVMJS2D5N06CLTWG
NVMJS2D5N06CLTWG

NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI

2850038.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+90.52 грн
500+ 68.18 грн
1000+ 65.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMJS2D5N06CLTWG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 164A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 113W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 113W, Bauform - Transistor: LFPAK, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NVMJS2D5N06CLTWG за ціною від 65.71 грн до 152.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMJS2D5N06CLTWG NVMJS2D5N06CLTWG Виробник : ONSEMI 2850038.pdf Description: ONSEMI - NVMJS2D5N06CLTWG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 164 A, 0.002 ohm, LFPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 164A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 113W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113W
Bauform - Transistor: LFPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.002ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.002ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+152.86 грн
10+ 122.44 грн
25+ 109.96 грн
100+ 90.52 грн
500+ 68.18 грн
1000+ 65.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
NVMJS2D5N06CLTWG NVMJS2D5N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor NVMJS2D5N06CL-D-1814517.pdf MOSFET 60V 2.4 mOhm 155A Single N-Channel
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NVMJS2D5N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor NVMJS2D5N06CL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NVMJS2D5N06CLTWG Виробник : ON Semiconductor NVMJS2D5N06CL-D.PDF Description: MOSFET N-CH 60V 31A/164A 8LFPAK
товар відсутній