Продукція > ONSEMI > NVMFWS2D5N08XT1G
NVMFWS2D5N08XT1G

NVMFWS2D5N08XT1G onsemi

nvmfws2d5n08x-d.pdf Виробник: onsemi
Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+75.08 грн
3000+ 69.55 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS2D5N08XT1G onsemi

Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V, Power Dissipation (Max): 133W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFWS2D5N08XT1G за ціною від 73.91 грн до 229.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFWS2D5N08XT1G NVMFWS2D5N08XT1G Виробник : onsemi NVMFWS2D5N08X_D-3450375.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 80V, 156 A, 2.5 mohm
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.72 грн
10+ 157.62 грн
100+ 109.08 грн
250+ 100.46 грн
500+ 90.42 грн
1000+ 78.22 грн
1500+ 73.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFWS2D5N08XT1G NVMFWS2D5N08XT1G Виробник : onsemi nvmfws2d5n08x-d.pdf Description: T10 80V STD NCH MOSFET SO8FL PRE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 156A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.55mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 133W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 184µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+229.77 грн
10+ 144.42 грн
100+ 100.35 грн
500+ 76.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFWS2D5N08XT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfws2d5n08x-d.pdf NVMFWS2D5N08XT1G
товар відсутній