Продукція > ONSEMI > NVMFWS0D5N04XMT1G

NVMFWS0D5N04XMT1G onsemi

NVMFWS0D5N04XM_D-3150342.pdf Виробник: onsemi
MOSFET 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.95 грн
10+ 234.02 грн
25+ 191.65 грн
100+ 164.47 грн
250+ 155.41 грн
500+ 146.35 грн
1000+ 119.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFWS0D5N04XMT1G onsemi

Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 163W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA, Supplier Device Package: 8-DFN (5x6), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NVMFWS0D5N04XMT1G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFWS0D5N04XMT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfws0d5n04xm-d.pdf Power MOSFET, Single N-Channel
товар відсутній
NVMFWS0D5N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d5n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
товар відсутній
NVMFWS0D5N04XMT1G Виробник : onsemi nvmfws0d5n04xm-d.pdf Description: 40V T10M IN S08FL GEN 2 PACKAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 423A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.52mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 163W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 240µA
Supplier Device Package: 8-DFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6250 pF @ 25 V
товар відсутній