Продукція > ONSEMI > NVMFS6H864NLWFT1G
NVMFS6H864NLWFT1G

NVMFS6H864NLWFT1G onsemi

nvmfs6h864nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+86.7 грн
10+ 68.02 грн
100+ 52.92 грн
500+ 42.1 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H864NLWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H864NLWFT1G за ціною від 36.8 грн до 94.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS6H864NLWFT1G NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : onsemi NVMFS6H864NL_D-2319672.pdf MOSFET MOSFET - Power, Single N-Channel, 80 V, 29 m ohm, 22 A - NVMFS6H864NL DFN5 (Pb-Free, Wettable Flanks)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 852-861 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+94.32 грн
10+ 83.35 грн
100+ 56.38 грн
500+ 46.62 грн
1500+ 36.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h864nl-d.pdf
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h864nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 7A T/R
товар відсутній
NVMFS6H864NLWFT1G NVMFS6H864NLWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h864nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 7A/22A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 431 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній