Продукція > ONSEMI > NVMFS6H858NWFT1G
NVMFS6H858NWFT1G

NVMFS6H858NWFT1G onsemi

nvmfs6h858n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+75.51 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H858NWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H858NWFT1G за ціною від 80.43 грн до 159.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS6H858NWFT1G NVMFS6H858NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h858n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 8.4A/29A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20.7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 30µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+159.66 грн
10+ 127.25 грн
100+ 101.28 грн
500+ 80.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS6H858NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h858n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 8.4A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS6H858NWFT1G Виробник : ON Semiconductor NVMFS6H858N-D-1381947.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
товар відсутній