![NVMFS6H852NLT1G NVMFS6H852NLT1G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4955/488%3B-488AA%3B-%3B-5.jpg)
NVMFS6H852NLT1G onsemi
![nvmfs6h852nl-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 27.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVMFS6H852NLT1G onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 11A/42A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVMFS6H852NLT1G за ціною від 21.46 грн до 69.6 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NVMFS6H852NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.1mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 45µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 906 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2649 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NVMFS6H852NLT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NVMFS6H852NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NVMFS6H852NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
NVMFS6H852NLT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |