Продукція > ONSEMI > NVMFS6H818NWFT1G
NVMFS6H818NWFT1G

NVMFS6H818NWFT1G ONSEMI

2571970.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+136.81 грн
500+ 101.63 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H818NWFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H818NWFT1G за ціною від 96.87 грн до 239.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.31 грн
10+ 167.69 грн
100+ 135.66 грн
500+ 113.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : onsemi NVMFS6H818N_D-2319954.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET POWER MOSFET
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.97 грн
10+ 184.33 грн
25+ 152.62 грн
100+ 129.63 грн
250+ 122.66 грн
500+ 115.69 грн
1000+ 96.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : ONSEMI 2571970.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H818NWFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 123 A, 0.0031 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 123A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+239.23 грн
10+ 168.87 грн
100+ 136.81 грн
500+ 101.63 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h818n-d.pdf Trans MOSFET N-CH 80V 20A Automotive 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R
товар відсутній
NVMFS6H818NWFT1G NVMFS6H818NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h818n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 20A/123A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 190µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній