Продукція > ONSEMI > NVMFS6H801NT1G
NVMFS6H801NT1G

NVMFS6H801NT1G ONSEMI

2620012.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+92.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H801NT1G ONSEMI

Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Surface Mount, Drain-Source-Spannung Vds: 0, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 0, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 0, Bauform - Transistor: DFN, Anzahl der Pins: 5Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0, directShipCharge: 25, SVHC: Lead.

Інші пропозиції NVMFS6H801NT1G за ціною від 75.08 грн до 192.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G Виробник : ONSEMI 2620012.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - MOSFET, N-CH, 80V, 157A, 175DEG C, 166W
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Surface Mount
Drain-Source-Spannung Vds: 0
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 0
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 0
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0
directShipCharge: 25
SVHC: Lead
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+119.32 грн
Мінімальне замовлення: 1500
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G Виробник : ONSEMI 2620012.pdf Description: ONSEMI - NVMFS6H801NT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 157 A, 0.0023 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 157A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+123.22 грн
10+ 92.03 грн
Мінімальне замовлення: 7
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G Виробник : onsemi NVMFS6H801N_D-2319870.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+192.23 грн
10+ 157.5 грн
100+ 113.32 грн
250+ 112.63 грн
500+ 97.33 грн
1500+ 81.34 грн
9000+ 75.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS6H801NT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h801n-d.pdf
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
товар відсутній
NVMFS6H801NT1G NVMFS6H801NT1G Виробник : onsemi nvmfs6h801n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 23A/157A 5DFN
товар відсутній