Продукція > ONSEMI > NVMFS6H800NWFT1G
NVMFS6H800NWFT1G

NVMFS6H800NWFT1G onsemi

nvmfs6h800n-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1500+154.13 грн
Мінімальне замовлення: 1500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS6H800NWFT1G onsemi

Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA, Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS6H800NWFT1G за ціною від 151.23 грн до 323.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS6H800NWFT1G NVMFS6H800NWFT1G Виробник : onsemi nvmfs6h800n-d.pdf Description: MOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 203A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 330µA
Supplier Device Package: 5-DFNW (4.9x5.9) (8-SOFL-WF)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5530 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+297.78 грн
10+ 241.09 грн
100+ 195 грн
500+ 162.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS6H800NWFT1G NVMFS6H800NWFT1G Виробник : onsemi NVMFS6H800N_D-2319731.pdf MOSFET TRENCH 8 80V NFET
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+323.6 грн
10+ 268.49 грн
25+ 226.5 грн
100+ 188.86 грн
250+ 182.59 грн
500+ 152.62 грн
1000+ 151.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS6H800NWFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs6h800n-d.pdf
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)