Продукція > ONSEMI > NVMFS5C612NLAFT1G
NVMFS5C612NLAFT1G

NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI

2907324.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00113 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+175.83 грн
500+ 159.61 грн
1500+ 143.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVMFS5C612NLAFT1G ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL), Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVMFS5C612NLAFT1G за ціною від 124.41 грн до 308.29 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G Виробник : onsemi NVMFS5C612NL_D-2319927.pdf MOSFETs NFET SO8FL 60V
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.44 грн
10+ 231.98 грн
25+ 184.85 грн
100+ 163.77 грн
250+ 153.93 грн
500+ 144.79 грн
1000+ 124.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G Виробник : ONSEMI 2907324.pdf Description: ONSEMI - NVMFS5C612NLAFT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.00113 ohm, DFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 250A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 167W
Bauform - Transistor: DFN
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00113ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+308.29 грн
10+ 212.1 грн
100+ 175.83 грн
500+ 159.61 грн
1500+ 143.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVMFS5C612NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c612nl-d.pdf
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c612nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G Виробник : ON Semiconductor nvmfs5c612nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 38A Automotive AEC-Q101 5-Pin SO-FL EP T/R
товар відсутній
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c612nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
NVMFS5C612NLAFT1G NVMFS5C612NLAFT1G Виробник : onsemi nvmfs5c612nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Ta), 250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.36mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 167W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6660 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній