Технічний опис NVMFS5C604NLT1G ON Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6, Mounting: SMD, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Case: DFN5x6, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 203A, On-state resistance: 1.2mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 100W, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NVMFS5C604NLT1G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
 Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: DFN5x6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 203A On-state resistance: 1.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN |
товар відсутній |
|
|
|
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A/287A 5DFN |
товар відсутній |
|
|
|
NVMFS5C604NLT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 203A; 100W; DFN5x6 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: DFN5x6 Drain-source voltage: 60V Drain current: 203A On-state resistance: 1.2mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 100W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
товар відсутній |