NVJD5121NT1G ON Semiconductor
на замовлення 15322 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2547+ | 4.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVJD5121NT1G ON Semiconductor
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363, Part Status: Active.
Інші пропозиції NVJD5121NT1G за ціною від 4.02 грн до 27.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NVJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.212A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 210 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVJD5121NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.212A; 0.25W Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.212A Power dissipation: 0.25W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 210 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 15322 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 295mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 17565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NVJD5121NT1G | Виробник : onsemi |
MOSFET NFET SC88 60V 295MA 1.6OH |
на замовлення 49320 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NVJD5121NT1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.295A 6-Pin SC-88 T/R Automotive AEC-Q101 |
товар відсутній |