NVD5C648NLT4G ON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 108.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVD5C648NLT4G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 89A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 72W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVD5C648NLT4G за ціною від 82.24 грн до 242.36 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NVD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVD5C648NLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVD5C648NLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVD5C648NLT4G | Виробник : onsemi |
MOSFETs T6 60V LL DPAK |
на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVD5C648NLT4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 2328 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NVD5C648NLT4G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NVD5C648NLT4G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |