NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 91.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVD5117PLT4G-VF01 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V, Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVD5117PLT4G-VF01 за ціною від 79.07 грн до 234.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVD5117PLT4G-VF01 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm |
на замовлення 6542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVD5117PLT4G-VF01 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 24600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NVD5117PLT4G-VF01 | Виробник : onsemi |
MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM |
на замовлення 14818 шт: термін постачання 448-457 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 6542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NVD5117PLT4G-VF01 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |