Продукція > ONSEMI > NVBLS1D5N10MCTXG
NVBLS1D5N10MCTXG

NVBLS1D5N10MCTXG ONSEMI

4073641.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+363.21 грн
100+ 314.94 грн
500+ 246.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBLS1D5N10MCTXG ONSEMI

Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 331W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NVBLS1D5N10MCTXG за ціною від 222.91 грн до 513.56 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBLS1D5N10MCTXG NVBLS1D5N10MCTXG Виробник : onsemi NVBLS1D5N10MC_D-3368617.pdf MOSFETs N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm N-Channel PowerTrench MOSFET, 100V, 300A, 1.5mohm
на замовлення 3842 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.49 грн
10+ 403.17 грн
25+ 317.43 грн
100+ 292.03 грн
250+ 275.1 грн
500+ 257.47 грн
1000+ 231.37 грн
NVBLS1D5N10MCTXG NVBLS1D5N10MCTXG Виробник : ONSEMI 4073641.pdf Description: ONSEMI - NVBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 300 A, 0.0015 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 331W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+513.56 грн
10+ 363.21 грн
100+ 314.94 грн
500+ 246.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVBLS1D5N10MCTXG Виробник : onsemi nvbls1d5n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+231.13 грн
Мінімальне замовлення: 2000
NVBLS1D5N10MCTXG Виробник : onsemi nvbls1d5n10mc-d.pdf Description: PTNG 100V STD TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35.5A (Ta), 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.5W (Ta), 331W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+434.93 грн
10+ 358.87 грн
100+ 299.11 грн
500+ 247.68 грн
1000+ 222.91 грн
NVBLS1D5N10MCTXG Виробник : ON Semiconductor nvbls1d5n10mc-d.pdf N-Channel Power Trench MOSFET
товар відсутній