NVBLS0D5N04CTXG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 300A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 198.4W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 481.58 грн |
| 100+ | 416.7 грн |
| 500+ | 325.95 грн |
| 2000+ | 298.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBLS0D5N04CTXG ONSEMI
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 300A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 198.4W, Bauform - Transistor: H-PSOF, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NVBLS0D5N04CTXG за ціною від 298.2 грн до 669.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBLS0D5N04CTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBLS0D5N04CTXG | Виробник : onsemi |
MOSFETs Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mohm, Single N-Channel Power MOSFET, 40 V, 300 A, 0.57 mohm, Single N-Channel |
на замовлення 3787 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBLS0D5N04CTXG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBLS0D5N04CTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 300 A, 0.0005 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 300A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 198.4W Bauform - Transistor: H-PSOF Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 500µohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVBLS0D5N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
NVBLS0D5N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 65A T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NVBLS0D5N04CTXG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 40V 65A Automotive AEC-Q101 9-Pin(8+Tab) PSOF T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NVBLS0D5N04CTXG | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 40V 65A/300A 8HPSOF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 65A (Ta), 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.57mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4.3W (Ta), 198.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 475µA Supplier Device Package: 8-HPSOF Part Status: Active Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12600 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |