NVBG080N120SC1 ON Semiconductor
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 800+ | 678.13 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NVBG080N120SC1 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK), tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 179W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 179W, Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: Fuse Kits, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NVBG080N120SC1 за ціною від 582.1 грн до 1272.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NVBG080N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK)tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 179W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NVBG080N120SC1 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NVBG080N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-263HV (D2PAK) tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 179W Bauform - Transistor: TO-263HV (D2PAK) Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: Fuse Kits productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG080N120SC1 | Виробник : onsemi |
MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V |
на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG080N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NVBG080N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NVBG080N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NVBG080N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVBG080N120SC1 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
NVBG080N120SC1 | Виробник : onsemi |
Description: SICFET N-CH 1200V 30A D2PAK-7 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 179W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 5mA Supplier Device Package: D2PAK-7 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1154 pF @ 800 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |