Продукція > ONSEMI > NVBG045N065SC1
NVBG045N065SC1

NVBG045N065SC1 onsemi

nvbg045n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1171.52 грн
10+ 993.46 грн
100+ 859.2 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG045N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V, Power Dissipation (Max): 242W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG045N065SC1 за ціною від 752.67 грн до 1918.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : onsemi NVBG045N065SC1_D-2307314.pdf MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET, N-Channel - EliteSiC, 31 mohm, 650V, M2, D2PAK-7L
на замовлення 1228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1272.45 грн
10+ 1105.2 грн
100+ 831.42 грн
800+ 830.72 грн
2400+ 752.67 грн
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg045n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+1918.61 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg045n065sc1-d.pdf NVBG045N065SC1
товар відсутній
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg045n065sc1-d.pdf Silicon Carbide MOSFET,31mohm,650V Automotive AEC-Q101
товар відсутній
NVBG045N065SC1 NVBG045N065SC1 Виробник : onsemi nvbg045n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 242W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 325 V
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній