Продукція > ONSEMI > NVBG020N120SC1
NVBG020N120SC1

NVBG020N120SC1 onsemi

nvbg020n120sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+2590.36 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG020N120SC1 onsemi

Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V, Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V, Vgs (Max): +25V, -15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG020N120SC1 за ціною від 2464.13 грн до 6621.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : onsemi nvbg020n120sc1-d.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 60A, 20V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 468W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Vgs (Max): +25V, -15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2943 pF @ 800 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13319 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3485.91 грн
10+ 3132.12 грн
25+ 3000.79 грн
100+ 2552.13 грн
250+ 2464.13 грн
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : onsemi NVBG020N120SC1_D-2319313.pdf MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 20MOHM 1
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3787.26 грн
10+ 3479.09 грн
25+ 2900.55 грн
50+ 2896.37 грн
100+ 2626.67 грн
250+ 2538.85 грн
500+ 2534.67 грн
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : ONSEMI NVBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 468W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.02ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+4667.31 грн
100+ 4355.37 грн
500+ 3947.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : ONSEMI NVBG020N120SC1-D.PDF Description: ONSEMI - NVBG020N120SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
tariffCode: 85415000
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 98A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 468W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+5193.45 грн
10+ 4667.31 грн
100+ 4355.37 грн
500+ 3947.72 грн
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+6621.31 грн
Мінімальне замовлення: 800
NVBG020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg020n120sc1-d.pdf
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive T/R
товар відсутній
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NVBG020N120SC1 NVBG020N120SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg020n120sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 8.6A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній