Продукція > ONSEMI > NVBG015N065SC1
NVBG015N065SC1

NVBG015N065SC1 onsemi

nvbg015n065sc1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4509.66 грн
10+ 3948.01 грн
100+ 3553.18 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVBG015N065SC1 onsemi

Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA, Supplier Device Package: D2PAK-7, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVBG015N065SC1 за ціною від 3179.32 грн до 4778.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : onsemi NVBG015N065SC1_D-2319397.pdf MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V
на замовлення 558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4778.38 грн
10+ 4282.15 грн
25+ 3668.55 грн
50+ 3629.52 грн
100+ 3350.76 грн
250+ 3295.7 грн
500+ 3179.32 грн
NVBG015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive T/R
товар відсутній
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : ON Semiconductor nvbg015n065sc1-d.pdf Trans MOSFET N-CH SiC 650V 145A Automotive AEC-Q101 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
NVBG015N065SC1 NVBG015N065SC1 Виробник : onsemi nvbg015n065sc1-d.pdf Description: SIC MOS D2PAK-7L 650V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 75A, 18V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 25mA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 283 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4689 pF @ 325 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній