Продукція > ONSEMI > NVB190N65S3F
NVB190N65S3F

NVB190N65S3F ONSEMI

nvb190n65s3f-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 162W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+194.67 грн
500+ 139.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB190N65S3F ONSEMI

Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85415000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 162W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 162W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.158ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NVB190N65S3F за ціною від 120.57 грн до 318.19 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : onsemi nvb190n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+269.13 грн
10+ 217.64 грн
100+ 176.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : onsemi NVB190N65S3F_D-2319312.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V FRFET,190M
на замовлення 4474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+289.45 грн
10+ 239.63 грн
100+ 169.35 грн
800+ 131.02 грн
2400+ 124.05 грн
4800+ 120.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ONSEMI nvb190n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NVB190N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 20 A, 0.158 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 162W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.158ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+318.19 грн
10+ 239.23 грн
100+ 194.67 грн
500+ 139.38 грн
Мінімальне замовлення: 3
NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf
на замовлення 590 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb190n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 20A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK Reel
товар відсутній
NVB190N65S3F NVB190N65S3F Виробник : onsemi nvb190n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 162W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 430µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1605 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній