Продукція > ONSEMI > NVB110N65S3F
NVB110N65S3F

NVB110N65S3F onsemi


nvb110n65s3f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+266.03 грн
Мінімальне замовлення: 800
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVB110N65S3F onsemi

Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVB110N65S3F за ціною від 209.77 грн до 473.2 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NVB110N65S3F NVB110N65S3F Виробник : onsemi nvb110n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.02 грн
10+ 356.3 грн
100+ 288.2 грн
NVB110N65S3F NVB110N65S3F Виробник : onsemi NVB110N65S3F_D-2319280.pdf MOSFETs SUPERFET3 650V D2PAK PKG
на замовлення 1304 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+473.2 грн
10+ 391.91 грн
25+ 330.34 грн
100+ 275.28 грн
250+ 267.61 грн
500+ 259.25 грн
800+ 209.77 грн
NVB110N65S3F NVB110N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvb110n65s3f-d.pdf Power MOSFET Single N-Channel
товар відсутній