NUR460/L02,112 NXP USA Inc.
![NUR460.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD
Packaging: Tube
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 4A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V
на замовлення 9131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 11.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NUR460/L02,112 NXP USA Inc.
Description: DIODE GEN PURP 600V 4A DO201AD, Packaging: Tube, Package / Case: DO-201AD, Axial, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 65 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 4A, Supplier Device Package: DO-201AD, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NUR460/L02,112
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
|
NUR460/L02,112 | Виробник : NXP USA Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 65 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.28 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 600 V |
товар відсутній |
|
![]() |
NUR460/L02,112 | Виробник : NXP Semiconductors |
![]() |
товар відсутній |