Продукція > ONSEMI > NTZS3151PT1G
NTZS3151PT1G

NTZS3151PT1G onsemi


ntzs3151p-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.78 грн
8000+ 6.26 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZS3151PT1G onsemi

Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 860mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 210mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NTZS3151PT1G за ціною від 5.3 грн до 29.17 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1283+9.4 грн
1347+ 8.95 грн
1420+ 8.49 грн
1500+ 7.75 грн
1591+ 6.77 грн
3000+ 6.1 грн
6000+ 5.71 грн
Мінімальне замовлення: 1283
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : ONSEMI ntzs3151p-d.pdf Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+9.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+11.91 грн
68+ 8.82 грн
69+ 8.73 грн
100+ 8.02 грн
250+ 7.04 грн
500+ 6.4 грн
1000+ 6.03 грн
3000+ 5.67 грн
6000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 51
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
31+19.36 грн
42+ 14.38 грн
100+ 8.92 грн
1000+ 6.4 грн
4000+ 5.58 грн
Мінімальне замовлення: 31
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : onsemi NTZS3151P_D-2319335.pdf MOSFET -20V -950mA P-Channel
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+21.09 грн
21+ 15.43 грн
100+ 8.34 грн
1000+ 6.19 грн
4000+ 6.05 грн
8000+ 5.42 грн
24000+ 5.35 грн
Мінімальне замовлення: 16
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : onsemi ntzs3151p-d.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.82 грн
16+ 18.76 грн
100+ 11.27 грн
500+ 9.79 грн
1000+ 6.66 грн
2000+ 6.13 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : ONSEMI ntzs3151p-d.pdf Description: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.17 грн
33+ 23.86 грн
100+ 14.43 грн
500+ 13.11 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZS3151PT1G NTZS3151PT1G Виробник : ON Semiconductor ntzs3151p-d.pdf Trans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZS3151PT1G Виробник : ONSEMI ntzs3151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTZS3151PT1G Виробник : ONSEMI ntzs3151p-d.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній