Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NTZD3155CT1G
NTZD3155CT1G

NTZD3155CT1G ON Semiconductor

ntzd3155c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.22 грн
12000+ 5.74 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NTZD3155CT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції NTZD3155CT1G за ціною від 5.22 грн до 31.74 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.7 грн
12000+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+7.31 грн
8000+ 6.74 грн
12000+ 6.07 грн
28000+ 5.61 грн
100000+ 5.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1257+9.59 грн
1299+ 9.28 грн
2500+ 9.01 грн
Мінімальне замовлення: 1257
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.01 грн
500+ 10.94 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+22.95 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+24.18 грн
28+ 13.32 грн
100+ 9.27 грн
115+ 7.39 грн
316+ 6.95 грн
1000+ 6.73 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi ntzd3155c-d.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 117002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.07 грн
15+ 20.28 грн
100+ 12.14 грн
500+ 10.55 грн
1000+ 7.17 грн
2000+ 6.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : onsemi NTZD3155C_D-2319137.pdf MOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 354562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.9 грн
21+ 15.27 грн
100+ 9.52 грн
1000+ 6.88 грн
4000+ 6.47 грн
8000+ 5.91 грн
24000+ 5.77 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI NTZD3155C-DTE.PDF Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5676 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+29.01 грн
17+ 16.6 грн
100+ 11.12 грн
115+ 8.86 грн
316+ 8.34 грн
1000+ 8.08 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ONSEMI 2160832.pdf Description: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 45830 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+31.74 грн
44+ 17.78 грн
100+ 11.7 грн
500+ 10.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTZD3155CT1G Виробник : On Semiconductor ntzd3155c-d.pdf NTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NTZD3155CT1G NTZD3155CT1G Виробник : ON Semiconductor ntzd3155c-d.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній