NTZD3154NT1G ON Semiconductor
на замовлення 804000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 3.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTZD3154NT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm, tariffCode: 85412100, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: -, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 250mW, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 250mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NTZD3154NT1G за ціною від 4.42 грн до 36.51 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 820000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 496000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.54A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±7V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R |
на замовлення 1318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 499117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : onsemi | MOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD |
на замовлення 369214 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ONSEMI |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563 Type of transistor: N-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 0.54A Power dissipation: 0.25W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±7V On-state resistance: 0.9Ω Mounting: SMD Gate charge: 1.5nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3373 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm Verlustleistung, p-Kanal: 250mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 250mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 79095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NTZD3154NT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |